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三极管（NPN）（图一）要打开BJT，底座和发射极之间的电压大约为0.7V。可以直接在基座和发射极之间连接0.7V电池，并且BJT将打开。

当它打开时，电流从收集器流到晶体管流向发射极。

当BJT关闭时（如图2所示）时，不再流过电流，并且发射二极管（LED）也被关闭。

因此，如果我们没有0.7V电池，我们应该如何打开晶体管？

实际上很简单！那就是系列电阻！

BJT的基础和发射极之间的工作原理是二极管。二极管具有向前电压，可在可用的电压中接收正向电压。当您连接电阻串联时，剩余的电压将划分电阻器。

通过增加这种阻力，您将自动获得0.7V大约。

当电流从底座流向发射极时，晶体管被打开，并且较大的电流从收集器流向发射极。这两种电流的大小之间存在联系，即晶体管的增益。

以常用的晶体管为例，增益约为100。相当于，如果0.1mA电流从底座流到发射极，则从收集器流向发射器的电流将是100mA，是100mA，是100倍以上。 （图3）

问题是（图3）R1获得0.1mA的电流需要多少电阻值？

如果电池为9V，并且发射极的晶体管底座达到0.7V，则电阻仍有8.3V。

您可以使用欧姆定律找到此值：

因此，您需要一个约83k的电阻。

R2可以将电流限制为LED。此外，如果您想将LED和电阻直接连接到9V电池，则可以选择约1k的电阻值，该电阻值可能在没有晶体管的情况下正常工作。

上面的NPN晶体管是一个例子，也有PNP类型，其工作原理与NPN的工作原理相同，区别在于其所有电流都朝着相反的方向。

选择晶体管时，请记住要注意晶体管可以承受的当前（收集器电流）。

下一个问题将解释MOSFET实际示例的工作原理和设备选择。

双极结型晶体管（BJT）：三极管结构与原理的深度剖析

双极连接晶体管（BJT）由三个掺杂的半导体区域组成。如果以前的句子使您感到困惑，建议您查看有关半导体基础知识的其他教程，这将使理解BJT更加容易。这三个掺杂的区域分别称为基础，收集器和发射极。与收集器和发射极区相比，基本区域略微掺杂，非常薄。收集器区域适度掺杂，而发射极区则大量掺杂。

双极连接晶体管（BJT）分为NPN和PNP类型。 NPN类型由两个由P型区域分开的N型区域组成。基本区域是P型材料，而收集器和发射极区是N型材料。在PNP类型中，晶体管由两个由N型碱基区域隔开的P型区域（收集器和发射极）组成。无论哪种类型，BJT都有两个PN连接，必须正确地偏向外部直流电压才能正常工作。其中一个连接称为基本发射线连接，连接基地和发射极区域，另一个是基本- 收集器连接，连接基地和收集器区域。

为了使双极连接晶体管作为放大器运行，其基本发射极连接必须向前偏置，而基本- 收集器的连接必须反向偏置- 请注意，这意味着NPN晶体管的偏置方向和PNP晶体管的偏置方向是相反的。如前所述，发射极区域被大量掺杂。因此，在NPN晶体管中，N型发射极区具有很高的游离电子，而在PNP晶体管中，P型发射极区具有很高的孔。

在这一点上，我想提醒您，电流和电子的流动方向相反，这可能会引起混乱。由于基本发射极连接的正向偏置，来自发射极区域的自由电子可以轻松地通过基本发射极连接进入非常薄且略微掺杂的P型基碱区域。 p型基碱区域仅被轻轻掺杂，这意味着其中没有很多孔。在这种情况下，只有一小部分来自发射极区域的自由电子可以与基本区域的孔重组。

来自发射极区域的少数游离电子，并与基本区域重新组合，以价电子的形式移动。但是，当他们离开基本区域并通过金属底线时，它们成为自由电子并产生外部基础电流，然后通过金属线流出，进入外部电路，最终返回发射极区域。

自由电子进入基本区域，但不会随着孔向反向偏置的基础收集器连接而重组。由于收集器区域连接到外部偏置电压的正电极，因此将游离电子吸引到正电极并被扫入集群区域。他们离开收藏家区域，通过金属收集器线索进入电路，然后返回发射极区。因此，在这种情况下，我们知道发射器电流是基本电流和收集器电流的总和。因此，发射极电流略大于收集器电流。 PNP晶体管的内部工作原理与NPN类型非常相似。但是电子和孔的作用是可以互换的。外部偏置电压和电流方向相反。

如果您尝试理解，颠倒外部偏置电压将使PNP晶体管的基本发射极连接处转向偏置，并反向偏置基本- 收集器交界器的基础- 收集器连接。由于基本发射极连接处是向前偏置的，因此发射极区域的孔可以通过基本发射线连接到基本区域。同时，基本区域的电子也可以进入发射极区域。

在PNP晶体管内部，发射极电流是由于孔从发射极区到基本区域的运动。但是，在外部，发射极电流是由于电子从发射极区域的移动到外部偏置电压的正电极。 PNP晶体管中产生的碱电流是由于电子从外部偏置电压进入基本区域的原因。由于仅对基本区域轻轻掺杂，因此基本区域中只有少数电子重组来自发射极区域的孔，其余孔移至收集器区域。内部，孔向收集区域的移动会产生收集器电流，但是在外部，收集器电流是从外部偏置电压进入收集器区域的电子流。

如果我们使用传统的当前方向比较了NPN和PNP晶体管的当前方向，我们会发现本教程中PNP晶体管中的当前方向为正好相反。，我们讨论了双极交界晶体管（BJT）的基本结构和基本工作原理。我们了解到，双极连接晶体管由三个掺杂的半导体区域组成，具有两种基本类型-NPN和PNP，两种类型都有两个PN连接。我们还学会了如何使双极连接晶体管偏向放大器，并讨论了它在NPN晶体管内的工作方式。

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