看完这篇，请不要再说不懂MOSFET

资料来源：从[宽带门半导体技术创新联盟]转载，谢谢

电力半导体设备被广泛用于行业，消费，军事和其他领域，并具有很高的战略地位。让我们从图片中查看电源设备的完整图片：

功率半导体设备也可以根据电路信号的控制程度分为全类型，半控制性类型和非控制类型；或分为电压驱动类型，电流驱动类型等。根据驾驶电路信号，电流驱动类型等的性质。分类类别，电流驱动类型等。分类类别，电流驱动类型等分类类别。分类类别。

不同的功率半导体设备具有不同的特征，例如电压，当前容量，阻抗能力，体积尺寸等。在实际使用中，需要根据不同的领域和不同的需求选择合适的设备。

自出生以来，半导体行业经历了三代材料的变化。到目前为止，功率半导体设备场仍然主要采用SI代表的第一层半导体材料。

下半场控制和全控制功率设备的特征摘要

认识MOSFETMOS管具有高输入阻抗，低噪声和良好的热稳定性；简单的制造过程和强辐射，因此通常用于放大器电路或开关电路中；

（1）主要选择参数：排水源电压VD（持续电压），ID连续泄漏电流，电阻上的RDS（ON），CISS输入电容器（接口电容器），质量因子FOM=RON * QG等。

（2）根据不同的过程，将其分为

沟槽MOS：沟槽MOS，主要在100V以内的低压场中；中士（拆分门）MOS：分裂门MOS，主要在200V内的中和低压场中； SJ MOS：超结MOS，主要在高压场600-800V中；

在开关电源（例如开放排水电路）中，排水系统完好无损地连接到负载，这称为开放排水管。不管电压多高连接到负载，都可以打开和关闭负载电流。是理想的模拟开关设备。这是MOS管制造开关设备的原理。

就市场份额而言，MOSFET几乎集中在主要的国际制造商手中。其中，Infineon于2015年收购了IR（美国国际整流器公司），成为行业领导者。在半导体上完成了2016年9月对Fairchild半导体的收购之后，其市场份额跃升至第二名，其销售排名是Renesas，Toshiba，Wanguo，Wanguo，ST，伟哥，Anshi，Megner，Megner，Megner等。

与活跃于中国大陆的国际制造商相比，国内企业几乎没有明显的优势，但不能说家用产品没有机会。中国大陆是世界上最完整的经济活跃区，拥有最完整的工业连锁店。一组本地制造公司活跃于电力半导体领域。他们基本上已经完成了工业链布局，并且正在快速发展。尤其是在MOSFET领域，国内产品具有替代中和低压领域进口品牌的最大潜力，以及一些家用产品，例如Shilan，China Resources Micro（AVIC），Jilin Huawei等，正在努力努力进入世界排名；

主流MOS管品牌MOS管分为几个系列：美国，日语，韩国和国内。

美国系列：Infineon，IR，Fairchild，在半导体上，ST，TI，PI，AOS American Bandai Semiconductor等；

日语：东芝，雷纳斯，罗姆·罗姆等；

韩国人：梅格纳，凯克，奥克，莫里·纳卡霍，舒安，起亚

国内：中国资源（Chongqing）Co. jilin Hua Hua Microelectronics Co.Ltd.Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.Ltd. Wuxi Huajing Microelectronics Co.Ltd.Jiangsu Dongchen电子技术有限公司（前任Dongguangwei），Dongwei半导体，魏兹霍半导体，苏州Sizhou Silicon Energy，Wuxi Xintu semiciconductor Co.Ltd。

国内台湾系列：ANPEC，CET，Youshun UTC

MOS管封装分类根据PCB板上安装的方法，Mos Tube包装有两个主要类别：通过孔和表面安装。

插件类型是MOSFET的引脚穿过PCB板的安装孔并将其焊接到PCB板时。常见的插件软件包包括：双线包装（DIP），晶体管配置文件软件包（TO）和PIN网格阵列软件包（PGA）。

表面安装是销钉，将MOSFET的热量法兰焊接到PCB板表面的垫子上。典型的表面安装套件包括：晶体管轮廓（D-PAK），小型轮廓晶体管（SOT），小型配置文件包（SOP），方形扁平包装（QFP），塑料已封装的铅芯片载体（PLCC），等等。

随着技术的开发，PCB板（例如主板，图形卡等）现在越来越少地在直接插件包装中，并且使用了更多的表面安装包装。

1、双列直插式封装(DIP)DIP软件包有两排针脚，需要将其插入带有浸入结构的芯片插座中。派生的方法是SDIP（收缩倾角），即紧凑的双中包装，比DIP的销密度高6倍。

浸入包装结构包括：多层陶瓷双线倾角，单层陶瓷双线浸入，铅框架倾角（包括玻璃陶瓷密封型，塑料封装结构类型，陶瓷封装结构类型，低熔融玻璃包装类型）等。

但是，由于其包装面积和厚度相对较大，销钉在插件和拔下插头过程中很容易损坏，并且其可靠性很差。同时，由于过程的影响，引脚数的数量通常不超过100。因此，在电子行业高度集成的过程中，浸入包装逐渐从历史阶段逐渐退出。

2、晶体管外形封装(TO)属于早期包装规格，例如TO-3P，TO-247，TO-92，TO-92L，TO-220，TO-220，TO-220F，TO-251等，都是插件包装设计。

TO-3P/247：它是一种常用的包装形式，用于中型和高电压和高电流MOS管。该产品具有高电压抗性和强烈抗震动的特征。

TO-220/220F：TO-220F是一个完全塑料包装。安装在散热器上时，无需添加绝缘垫； TO-220用金属板连接到中脚，安装散热器时应添加绝缘垫。 MOS管的两种包装样式的外观相似，可以互换使用。

TO-251：该包装产品主要用于降低成本和减少产品量，并且主要用于低电压低下和高压7N以下的环境。

TO-92：此软件包仅用于低压MOS管（低于10A的电流，承受低于60V的电压）和高压1N60/65，目的是降低成本。

近年来，由于插入式包装过程的高焊接成本和热量耗散性能不如芯片型产品的焊接成本，因此市场对表面坐骑的需求继续增加，并且包装也已发展为表面上的固定包装。 TO-252（也称为D-PAK）和TO-263（D2PAK）是表面安装包装。

TO252/d-pak是一种塑料包装的补丁程序包，通常用于电源晶体管和电压调节芯片的包装，目前是主流包装之一。

采用这种包装方法的MOSFET具有三个电极，一个栅极（g），一个排水口（d）和一个源。

切入（d）的销钉被切割，不需要使用，但是后面的散热器用作排水口（d），直接在PCB上焊接。一方面，它用于输出大电流，另一方面，它是通过PCB散发的。因此，PCB有三个D-PAK垫，并且排水垫（D）垫更大。包装规格如下：

TO-263是TO-220的变体。它主要旨在提高生产效率和散热。它支持极高的电流和电压。它在低于150a以下且高于30V的中型高电流MOS管中更为常见。

除了D2PAK（TO-263AB）外，它还包括TO263-2，TO263-3，TO263-5，TO263-7和其他样式。它是与TO-263的下属关系，主要是因为铅销的数量和距离不同。

3、插针网格阵列封装(PGA)在PGA内外有多个方形矩阵销（引脚网格阵列包）芯片。每个方形矩阵销都沿芯片周围环境的一定距离排列。根据销钉的数量，它可以被2至5圈包围。安装时，只需将芯片插入特殊的PGA插座，它具有易于插入和拔下插头和高可靠性的优点，并且可以适应更高的频率。

它的大多数芯片基板都是由陶瓷材料制成的，其中一些是由特殊的塑料树脂制成的。在过程方面，PIN中心距离通常为2.54mm，销数量为64至447。

该包装的特征是包装区域越小（体积），其能够承受的功耗越低（性能），反之亦然。这种类型的包装芯片在早期就更为常见，主要用于包装CPU等高功率产品。例如，英特尔的80486和Pentium都使用这种包装样式。 Mos Tube制造商的采用不多。

4、小外形晶体管封装(SOT)SOT (Small Out-Line Transistor) is a chip-type small-power transistor package, mainly including SOT23, SOT89, SOT143, SOT25 (i.e. SOT23-5), etc. and derived SOT323, SOT363/SOT26 (i.e. SOT23-6), which is smaller in volume than TO packages.

SOT23是一种常用的晶体管包装形式，带有3个翼形的销钉，即分别在组件长侧的两侧列出的收集器，发射极和基部。其中，发射极和基部位于同一侧，通常在天晶体管，野外效应晶体管和具有电阻性网络的复合晶体管中发现。他们的力量很好，但焊性差。外观如下图所示。

SOT89在晶体管的一侧分布3个短销，另一侧是金属散热器，连接到基座以提高散热能力。它通常用于硅功率表面组装的晶体管中，适用于高功率场合。外观如下图所示。

SOT143有4个短翼别针，两侧都从两侧抽出，而销钉的较大端是收集器。这种类型的软件包通常在高频晶体管中找到，外观如下图（c）所示。

SOT252是高功率晶体管。从一侧绘制三个销钉，一个中间引脚较短，它是一个收集器，另一端连接到较大的销钉。该引脚是充当散热的铜板。外观如下图所示。

主板上通常使用四端的PIN SOT-89 MOSFET。规格和大小如下：

SOT-89 MOSFET尺寸规格（单位：mm）

5、小外形封装(SOP)SOP（小外线包装）是表面安装套件之一，也称为SOL或DFP，并以海鸥翼形（L形）从包装的两侧绘制销钉。有两种材料：塑料和陶瓷。

SOP软件包标准包括SOP-8，SOP-16，SOP-20，SOP-28等。SOP后的数字表示引脚数。 MOSFET的大多数SOP包装都使用SOP-8规格，并且该行业经常忽略“ P”并缩写为So（小外线）。

SOP-8封装尺寸SO-8是由Philip Company首次开发的。它包装在塑料中，没有耗散耗散底板，并且散热不足。它通常用于低功率MOSFET。

后来，逐渐得出了标准规格，例如TSOP（细小的尺寸封装），VSOP（非常小的外形包装），SSOP（SSOP（SSOP还原），TSSOP（较薄的SOP），逐渐得出；其中，TSOP和TSSOP经常用于MOSFET包装。

6、方形扁平式封装(QFP)QFP（塑料QUAD FLAT包装）包装的芯片销的距离很小，而且很薄。它们通常用于大型或超大的集成电路中，其销钉数通常超过100。

以这种形式包装的芯片必须使用SMT表面安装技术将其焊接到主板上。这种包装方法具有四个主要功能：

适用于SMD表面安装技术，可在PCB电路板上安装接线；

适合高频使用；

方便操作和高可靠性；

芯片区域和包装区域之间的比率相对较小。

像PGA包装方法一样，这种包装方法将芯片包裹在塑料密封体中，并且不能及时导出芯片工作时产生的热量，从而限制了MOSFET性能的改善；塑料密封本身增加了设备尺寸，这不符合半导体以轻，薄，短和小方向发展的要求；此外，这种类型的包装方法基于单个芯片，该芯片的生产效率低和高包装成本。

因此，QFP更适合数字逻辑LSI电路（例如微处理器/门显示），也适用于模拟LSI电路产品包装，例如VTR信号处理和音频信号处理。

7、四边无引线扁平封装(QFN)QFN（Quad Flat非导线套件）包装配备了各个方面的电极触点。由于缺乏铅，安装表明该面积小于QFP，高度低于QFP。其中，陶瓷QFN也称为LCC（无铅芯片载体），使用玻璃环氧树脂印花底物底物的低成本塑料QFN称为塑料LCC，PCLC，P-LCC，等。

这是一种新兴的表面芯片包装技术，具有小垫子尺寸，小尺寸和塑料作为密封材料。

QFN主要用于集成电路包装，并且将不使用MOSFET。但是，英特尔提出了一个集成的驱动程序和MOSFET解决方案，并在QFN-56软件包中启动了DRMO（“ 56”表示有56个销钉连接到芯片的背面）。

应当指出，QFN软件包具有与超薄的小型构造包（TSSOP）相同的外铅配置，而其尺寸比TSSOP小62。根据QFN建模数据，其热性能比TSSOP软件包高55，其电性能（电感和电容）分别高60，比TSSOP软件包高30。最大的缺点是重新修复很困难。

传统的离散DC/DC升压开关电源无法满足更高功耗密度的要求，也无法解决影响高开关频率的寄生参数的问题。

随着技术的创新和进步，将驱动因素和MOSFET集成在一起已成为构建多芯片模块的现实。这种集成方法可以节省大量空间并增加功耗密度。通过优化驱动器和MOS管，它可以提高功率效率和高质量的直流电流。这是驱动程序IC的DRMO的集成。

使用QFN-56无销包装，DRMOS具有非常低的热阻抗。通过内部电线粘结和铜夹带设计，可以将外部PCB接线最小化，从而降低电感和电阻。

另外，所使用的深通道硅MOSFET工艺可以显着减少传导，开关和栅极电荷损失。它与多个控制器兼容，可以实现不同的工作模式，并支持主动相变模式AP（自动相位切换）。

除了QFN包装外，双面平面无针包（DFN）也是一种新的电子包装过程，已被广泛用于ONSEMI的各个组件。与QFN相比，DFN两侧的铅电极较少。

8、塑封有引线芯片载体(PLCC)PLCC（塑料Quad Flat套件）具有正方形的形状，并且比DIP包装小得多。它有32个销钉，周围有销钉。引脚是从包装的四个侧面绘制的，并具有T形状。这是一种塑料产品。

它的引脚中心距离为1.27mm，销量从18到84不等。j形引脚不容易变形，并且比QFP更容易操作，但是焊接后的外观检查更加困难。 PLCC软件包适用于使用SMT表面安装技术在PCB上安装接线，并且具有小尺寸和高可靠性的优点。

PLCC包装相对常见，用于逻辑LSI，DLD（或程序逻辑设备）等电路。这种包装形式通常由主板BIOS使用，但目前在MOS管中很少使用。

主流企业的封装与改进由于低压和CPU高电流的发展趋势，MOSFET的输出电流很大，耐耐药性很低，热产生低，散热速度很快，而且体积很小。除了改进芯片生产技术和流程外，MOSFET制造商还不断改进包装技术。根据与标准形状规格的兼容性，他们提出了新的包装形状，并为其开发的新包装注册商标名称。

1、瑞萨(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-I封装WPAK是由Renesas开发的高热辐射套件。芯片散热板通过模仿D-Pak包装将其焊接到主板上。通过主板的散热耗散，因此小型包装中的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。 WPAK-D2包装两个高/低MOSFET，以降低接线电感。

LFPAK和LFPAK-I是另外两个由Renesas开发的小型小包装，这些包装与8型兼容。 LFPAK与D-Pak相似，但比D-Pak小。 LFPAK-I将通过散热器散发热量。

2、威世(Vishay)Power-PAK和Polar-PAK封装Power-Pak是伟哥注册的MOSFET包装名称。 Power-Pak包括两个规格：Power-Pak1212-8和Power-Pak SO-8。

Polar Pak是一种具有双面散热的小型包装，也是伟哥的核心包装技术之一。 Polar Pak与普通SO-8包相同。它在包装的上部和下侧都有散热点。在包装内部积聚热量并可以将工作电流的电流密度增加到SO-8的两倍并不容易。伟哥现在已为Stmicroelectronics提供了Polar Pak技术许可。

3、安森美(Onsemi)SO-8和WDFN8扁平引脚(Flat Lead)封装Ameson半导体已经开发了两个扁平针摩擦，其中许多板使用了SO-8兼容的扁平销。在Semi新推出的NVMX和NVTX Power MOSFET上，可提供紧凑的DFN5（SO-8FL）和WDFN8软件包，以最大程度地减少传导损失，并且QG和电容较低，可以最大程度地减少驾驶员损失。

4、恩智浦(NXP)LFPAK和QLPAK封装NXP（以前是Philps）改进了LFPAK和QLPAK的SO-8包装技术。其中，LFPAK被认为是世界上高度可靠的SO-8包装；而QLPAK具有较小的特征和较高的散热效率。与普通SO-8相比，QLPAK占据了PCB板6*5mm的面积，热阻力为1.5k/w。

5、意法(ST)半导体PowerSO-8封装Stmicroelectronics Power MOSFET芯片包装技术包括SO-8，Powerso-8，Powerflat，DirectFet，Polarpak等。其中，Powerso-8是SO-8的改进版本，以及PowerSo-10，PowerSo-10，PowerSo-20，Powerso-20，powerso-20，to-220fp，to-220fp，to-220fp，h 22.pak-ppak-2。

6、飞兆(Fairchild)半导体Power 56封装Power 56是Farichild的特殊名称，其正式名称为DFN 56。它的包装区域与常用的TSOP-8相当，薄包装节省了组件室内空间。底部的热垫设计可降低热阻力，因此许多动力设备制造商已经部署了DFN 56。

7、国际整流器(IR)Direct FET封装Direct FET在SO-8或更少的情况下提供有效的上热量耗散，并且适用于计算机，笔记本电脑，电信和消费电子产品中的AC-DC和DC-DC功率转换应用。与标准的塑料离散包相比，DirectFet的金属CAN结构具有双面散热函数，因此有效地使高频DC-DC DC DC降低转换器的当前处理能力翻了一番。

直接FET包装是一种反向安装的类型，排水管的热量耗散板（d）向上向上并覆盖金属外壳，以通过金属外壳散发热量。 Direct FET包装大大改善了散热量，占用更少的空间，并且耗散良好。

内部封装改进方向除了外部包装外，根据电子制造中MOS管的需求的变化，内部包装技术也在不断改善。这主要是从三个方面进行的：改善包装内部的互连技术，增加排水热板，并改变散热的热传导方向。

1、封装内部的互连技术到，D-PAK，SOT，SOP等。采用电线键入的内部互连包装技术。当CPU或GPU的电源发展到低压和高电流时代时，电线键入的SO-8包装受到诸如包装阻力，包装电感，对PCB的PN连接和壳体热阻力等因素的限制。

这四个局限性对其电气和热性能产生了很大的影响。随着电流密度的增加，MOSFET制造商使用SO-8尺寸规格，使用金属条或金属夹而不是电线来降低包装抗性，电感和热电阻时，已经同步了电线的互连。

国际整流器（IR）的改进技术称为铜带。 Vishay称其为Power Connect技术； Fairchild称为无线软件包。在新技术使用铜带替换粘合线后，热电阻降低了10-20，并且源对包装的电阻降低了61。

伟哥的电源连接技术

2、增加漏极散热板标准SO-8包装使用塑料包围芯片，低热电阻热传导路径只是引脚的芯片。底部靠近PCB的塑料外壳是热量的不良导体，这会影响排水的热量耗散。

技术改进是去除铅框架下的塑料密封化合物。该方法是允许铅框架金属结构或一层金属板接触PCB并将其焊接到PCB垫，该垫子提供了更多的热量散热接触区，并将热量从芯片中取走；也可以将其制成更薄的设备。

伟哥的Power-pak，Fasic的Power SO-8，Ameson的SO-8平面铅，Renesas的WPAK/LFPAK，Fairchild的Power 56和无底套件都使用了这种散热技术。

3、改变散热的热传导方向尽管Power-Pak的包装大大降低了从芯片到PCB的热阻力，但是当电流需求继续增加时，PCB也会经历热饱和度。因此，进一步改进热量耗散技术是改变散热方向，并使芯片中的热量传输到散热器而不是PCB。

Renesas的LFPAK-I软件包和国际整流器的Direct FET软件包是这种散热技术的典型代表。

总结将来，随着电子制造业继续发展的超薄，微型化，低压和高电流，MOS管的外观和内部包装结构也将相应地变化，以更好地适应制造业的开发需求。此外，为了降低电子制造商选择的阈值，MOS管向模块化和系统级包装发展的趋势将变得越来越明显，并且产品将从多个维度（例如性能和成本）中以协调的方式发展。

作为选择Mos Tube的重要参考因素之一，不同的电子产品具有不同的电气需求，并且不同的安装环境还需要匹配的尺寸规格才能满足它们。在实际选择中，应根据一般原则根据实际需求做出决策。

某些电子系统受PCB的大小和内部高度约束。例如，由于高度限制，通信系统的模块电源通常由DFN5*6和DFN3*3包装；在某些ACDC电源中，使用了超薄的设计或住房限制，适用于220包装中的电源管。目前，可以将引脚直接插入根部，并且不适合由TO247包装包装的产品；一些超薄设计要求设备销钉弯曲并铺设平坦，这将增加Mos Tube选择的复杂性。

如何选取MOSFET一位工程师曾经告诉我，他从未看过MOSFET数据表的第一页，因为“实用”信息仅在第二页之后出现。实际上，MOSFET数据表上的每个页面都包含对设计师非常有价值的信息。但是人们并不总是弄清楚如何解释制造商提供的数据。本文总结了MOSFET的一些关键指标，如何在数据表中表达这些指标以及您需要使用的清晰图片来理解这些指标。另一个关键点是要了解您在“产品简介”中看到的指标是“最大”或“典型”值，因为某些数据表并未清楚地解释。

电压等级确定MOSFET的主要特征是其排水源电压VDS或“排水源击穿电压”，这是MOSFET在栅极短路到源且排水电流为250A时可以承受的最高电压。 VDS也称为“在25时的绝对最大电压”，但请确保记住，该绝对电压与温度有关，并且数据表中通常有“ VDS温度系数”。您还需要了解，最高的VDS是DC电压以及电路中可能存在的任何电压尖峰和涟漪。例如，如果您在电源中使用30V设备，电压为30V和100mV，5NS SPIKE，则电压将超过设备的绝对最大极限，并且该设备可能会进入雪崩模式。在这种情况下，无法保证MOSFET的可靠性。

在高温下，温度系数将显着改变故障电压。例如，一些具有600V电压水平的N通道MOSFET具有正温度系数，这使得这些MOSFET看起来像最高连接温度附近的650V MOSFET。许多MOSFET用户的设计规则要求降低10至20。

正确选择MOSFET以了解铅源电压VG在铅过程中的作用也很重要。该电压是确保在给定的最大RD（ON）条件下完全打开MOSFET的电压。这就是为什么抗性始终与VGS级别相关联的原因，并且只能在此电压下打开设备。一个重要的设计结果是，您无法以比达到RDS（ON）额定值的最低VG的电压更低的电压使MOSFET完全进行。例如，使用3.3V微控制器驱动要完全打开的MOSFET，您需要一个MOSFET，可以在VGS=2.5V或更低的情况下打开MOSFET。

导通电阻，栅极电荷，以及“优值系数”在一个或多个闸门源电压条件下，MOSFET的抗性始终是确定的。最大RD（开）限值可以比典型值高20至50。最大RD（开）极限通常是指在25C的连接温度下的值，而在较高温度下，RD（ON）可以增加30至150。

抗性对于N通道和P通道MOSFET都非常重要。在开关电源时，QG是用于开关电源的N通道MOSFET的关键选择标准，因为QG会影响开关损耗。这些损失有两个影响：一个是影响MOSFET的转换

时间；另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是，Qg取决于栅源电压，即使用更低的Vgs可以减少开关损耗。 作为一种快速比较准备用在开关应用里MOSFET的方式，设计者经常使用一个单数公式，公式包括表示传导损耗RDS(on)及表示开关损耗的Qg：RDS(on) xQg。这个“优值系数”(FOM)总结了器件的性能，可以用典型值或最大值来比较MOSFET。要保证在器件中进行准确的比较，你需要确定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在公示里典型值和最大值没有碰巧混在一起。较低的FOM能让你在开关应用里获得更好的性能，但是不能保证这一点。只有在实际的电路里才能获得最好的比较结果，在某些情况下可能需要针对每个MOSFET对电路进行微调。额定电流和功率耗散基于不同的测试条件，大多数MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。你要仔细看看数据表，搞清楚这个额定值是在指定的外壳温度下(比如TC = 25℃)，或是环境温度(比如TA = 25℃)。这些数值当中哪些是最相关将取决于器件的特性和应用(见图2)。

对于用在手持设备里的小型表面贴装器件，关联度最高的电流等级可能是在70℃环境温度下的电流，对于有散热片和强制风冷的大型设备，在TA = 25℃下的电流等级可能更接近实际情况。对于某些器件来说，管芯在其最高结温下能够处理的电流要高于封装所限定的电流水平，在一些数据表，这种“管芯限定”的电流等级是对“封装限定”电流等级的额外补充信息，可以让你了解管芯的鲁棒性。 对于连续的功率耗散也要考虑类似的情况，功耗耗散不仅取决于温度，而且取决于导通时间。设想一个器件在TA= 70℃情况下，以PD=4W连续工作10秒钟。构成“连续”时间周期的因素会根据MOSFET封装而变化，所以你要使用数据表里的标准化热瞬态阻抗图，看经过10秒、100秒或10分钟后的功率耗散是什么样的。如图3所示，这个专用器件经过10秒脉冲后的热阻系数大约是0.33，这意味着经过大约10分钟后，一旦封装达到热饱和，器件的散热能力只有1.33W而不是4W，尽管在良好冷却的情况下器件的散热能力可以达到2W左右。 实际上，我们可以把MOSFET选型分成四个步骤。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOSFET并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SuperFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。 这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS(ON)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量；即要求印刷电路板和封装不会立即升温。 雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额定雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。而热计算因为较为实用而得到广泛采用。不少公司都有提供其器件测试的详情，如飞兆半导体提供了“Power MOSFET Avalanche Guidelines”（ Power MOSFET Avalanche Guidelines–可以到Fairchild网站去下载）。除计算外，技术对雪崩效应也有很大影响。例如，晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。对最终用户而言，这意味着要在系统中采用更大的封装件。 第四步：决定开关性能 选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。 基于开关性能的重要性，新的技术正在不断开发以解决这个开关问题。芯片尺寸的增加会加大栅极电荷；而这会使器件尺寸增大。为了减少开关损耗，新的技术如沟道厚底氧化已经应运而生，旨在减少栅极电荷。举例说，SuperFET这种新技术就可通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)，最大限度地减少传导损耗和提高开关性能。这样，MOSFET就能应对开关过程中的高速电压瞬变(dv/dt)和电流瞬变(di/dt)，甚至可在更高的开关频率下可靠地工作。 *免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。今天是《半导体行业观察》为您分享的第2296期内容，欢迎关注。2020年，国产射频PA究竟如何？ 芯片行业的困境 华为2019都经历了什么？ 中国半导体｜苹果｜封测｜蓝牙｜设备｜晶圆｜英伟达｜射频｜台积电

想要 Mac 能撑下更多内容？不妨试试这些高性价比的存储好物

在对消费者需求不断探索与「为国民，造好物」品牌理念的加持下，aigo 将现代年轻消费者的个性心理与传统文化巧妙结合，力求为大家带来更多时尚、潮流、有现代科技感、技术应用快人一步、高品质且价格友好的产品——而有着与之相同愿景的国货品牌亦不胜枚举。 我们支持国际化潮流并主张消费自由，但不少平价好用的国货同时也正在被生生埋没，成为你购物车中不曾有过的遗珠之憾。于是少数派联合我们的好朋友 aigo 一起开启了这次国货推荐的征文活动，邀请了一些作者来分享他们使用下来认为不错的国货，在予你受用的同时也希望借此机会让更多的国货被看见。如果你也有心仪的国货想要推荐，非常欢迎你向我们投稿。 近一年过去，M1 芯片的杰出之处早已不用赘述。苹果闷声憋出的大招，仿佛是抢走了老朋友 Intel 的牙膏。性能大幅进步的同时，众多机型里最便宜的 Mac mini 教育优惠下不足五千的价格，在矿机横行、显卡天价的日子里，居然难得地把「性价比」三个字大写在了苹果脸上。 但 M1 并不完美。继承和发扬光大了苹果对电脑的设计理念的同时，M1 芯片虽使 Mac 性能提升、发热降低，却也导致拓展性的不足。当然，拓展不足也不是新问题了，即便仍使用 Intel 芯片的机型，苹果给的接口也很不够用。 这或许和乔布斯留下的理念有关，在很早以前乔布斯就和沃兹争论，认为电脑应该只留两个 USB 接口、不需要风扇。如今，乔布斯的愿景通过自研的 M1 芯片加持终于可以实现，所以即使有传闻说下一代 MacBook 会增加接口数量，纵观苹果历史上多次的选择，我还是不能轻易相信它会转变自己在开放性上的保守政策。 M1 Mac mini 配备的接口 M1 系列产品也比以往的 Intel 产品线更加保守，各个版块焊死在主板上，彻底失去 DIY 的可能。这样的统治力成就了苹果高超的设计美学，却同时也让用户不得不遭受它保守态度的痛苦：虽然基础售价难得「亲民」，但和往常一样高昂的内存、存储升级价格，又实在是接受不能。 在 Apple 官网，要想将存储从 256GB 升到 512GB，需要加 1500 人民币；而最高配的 2T 版本，需要加 5550 块钱。虽然内置存储用起来是最爽的，但居然要花掉比电脑本体还多的钱，无力支出；况且，就算升满 2T，作为一款 2021 年的台式电脑还是不大够用。所以说，投入 Mac 的怀抱，也就意味着你需要自己动手解决拓展、存储等一系列的问题。 M1 Mac mini 高昂的存储升级价格 作为穷学生，均衡考虑之后，我在年初购入了入门级的 256G 版 Mac mini。256G 即便放在手机上也不能说是富余，电脑上就更不必说。这大概就是苹果的理想和我的现实之间的矛盾吧。 因而，我开始了漫长的存储设备探索之路，没想到路长水深，一路摸索下来，如今断断续续花费超过一万块，已经是 Mac mini 两倍的钱。其中有血泪教训也有惊艳发现，算是折腾明白了。本文就是我过去大半年的经验总结，很折腾，也很有趣。希望对意图购买或已经拥有 Mac 的你有所帮助。 需要提前说明的是，M1 芯片存在某种问题，使得通过拓展坞外连的硬盘无法发挥最大速度。从网上的反馈来看，不同品牌的不同产品均受到影响，本文中测试的产品亦因此达不到标称满速，希望苹果在系统升级或至少下代产品里改掉这一问题。 市面上有许多种外置存储的解决方案，从硬盘到接口横跨数个类别。想要搞清楚哪一款是我需要的，就要先搞清楚自己的需求。 我有制作视频的需要，工程文件动辄几十个 G，而且工作时要保持高读写速度；现在是 4K 时代，素材的文件大小比 1080P 时翻倍增长，如果想要妥善保存，就一定得要够大的存储空间。此外，我也有在两台电脑间转移文件的需求，虽然大部分可以通过隔空投送完成，但电脑容积有限，大文件还是保存在硬盘中更方便。 故此，我们来建立一个以容量大小、读写速度为 X、Y 轴的坐标系，毫无疑问，高容量高读写是追逐的目标，低容量低读写则是当被淘汰的上代产品。但是坐标的两极也代表价格的两极，我们需要在价格和适用性上做出取舍。 需求坐标轴 在表中，对于低容量低读写的碎片文件，这里本是 U 盘的市场，如今隔空投送就可以解决，不再探讨；M1 Mac mini 的绝大部分用户，需求还是位于小容量、高读写的拓展文件、高容量低读写的备份文件之中。我们可以在这个范围内多寻找一些产品。 对于手中富余的朋友，或者追求极致性能的爱好者，在了解自身需求后直接买市面上最贵的产品往往就足够让你满意。但要是想追逐一下性价比，就要在背景知识上做更多功课。而在外部存储这件事上，你至少需要了解硬盘的种类、接口的区别、带宽的不同，以及各种各样的协议。 数据传输就像赛车，影响车速的除了车本身，还有路况和交通规则。如果数据是车上的货物，那么硬盘就是车，接口是交通枢纽，带宽是道路，协议是交通规则。这构成了木桶效应，真正使用时的速度就取决于这几者中较慢的那个。 比如用雷电三的接口和带宽跑传输速度 200MB/s 的 SATA 机械硬盘，那就是慢车上了笔直的赛道、高吞吐量的路口，再怎么耍也还是 200MB/s，这并不能提高车的速度；反过来说，一块 M.2 的 SSD，纵使猛踩 3500MB/s 的油门，碰到 USB 3.1 Gen 1 的路口也只能慢慢排队，跑出个最大 625MB/s 的成绩。 相信你一定常听说「机械硬盘」和「固态硬盘」两个概念，知道固态更贵、速度更快。确实，从科技点上来讲二者已是差了代际的产物，从 SATA 机械到 SATA 固态，再到 M.2 接口的 NVME 固态，速度起飞式上升，但价格也是水涨船高。SATA、M.2，都是接口的一种，为了方便理解，我制作了一张图阐述它们的区别。 道路就是基础建设，是很难变动的，SATA 作为较早出现的总线标准，在存储界早已普及；但 SATA 最普及的 3.0 版本，带宽只有 6Gbps，传输速度换算下来只有 600MB/s。如果是市面上较为流行的 SATA 机械硬盘，比如我手中有一块西部数据的 4T WD40EZRZ，实际速度大概在 170MB/s。 固态硬盘出现以后，很长时间内依然以 SATA 为主要接口，这就导致 SATA 固态虽然速度大幅超过机械硬盘，但受制于带宽，仍然无法突破 600MB/s 的理论速度。与此同时，作为固态硬盘，SATA 固态依然有价格不低、容量不高的问题。 SATA 固态硬盘针对的使用场景更多是 PC，而 Mac mini 上并没有 SATA 接口，因此，尽管它的读写速度尚可接受，我也不推荐你购入外置的 SATA 固态硬盘作为拓展。毕竟它的同等容量价格并不比速度翻倍的 M.2 接口固态硬盘低到哪里去。 所以，在硬盘的选购上，M.2 固态硬盘是较好的选择，而对于备份等速度要求不大、容量要求高的需求，SATA 机械硬盘是价格更合适的方案。 是不是已经有点绕了？我们再来明确几个概念。 先是速度的单位：Gbps。「bps」的全称是「bits per second」，即比特率。存储大小是以字节「Byte」为单位的，而一字节对应八比特，就像网速一样，100Mbps 的宽带理论下载速度是 12.5MB/s。在实际使用中，由于物理损耗，这个数字会更低。购买拓展坞、硬盘坞时，我们常能看到商品页上显示的 5Gbps、10Gbps，转换单位时理论最大速度要除以八，也就是 625MB/s、1250MB/s。有时考虑到编码效率，这个数字还要更低。 说完速度，再讲讲接口和协议。M1 Mac mini 配备了两个雷雳/USB 4 和两个 USB-A 接口。名叫 USB 4，其实就是雷电 3。协议们的命名非常拗口，不说人话，是各家势力妥协的结果，背后纷争我们没必要细究，只要记住搭载 M1 芯片的几款机型，从 Mac 到 iPad，所用的都是雷电 3 接口即可。雷电 3 口的带宽可达 40Gbps，换算下来就是 5GB/s。 但实际上，雷电 3 的带宽中，分配给数据传输的只有 22Gbps，剩下的 18Gbps 是给视频信号的。可以理解为在这宽广的 40Gbps 公路上，有 18Gbps 是视频数据专用车道，其他数据们只能跑 22Gbps。估算下来就是 2750MB/s。这就是 M1 芯片外接硬盘能跑出的理论速度上限。在实际使用中，M1 存在 BUG，无法达到这一速度；而硬盘格式、测速软件的算法不同，也都会影响速度呈现。 初步了解存储界的种种规则，终于，我们可以来挑选挑选产品了。 各位都知道 NAS，是以网络的方式接入存储设备（Network-Attached Storage），而 DAS 其实更为古老，是硬盘和处理设备直连的接入方案（Direct-Attached Storage）。这也是我为 Mac mini 拓展时的初版方案。事后来看这不算最好的选择。或许，256G 过于捉襟见肘，买大容量硬盘可能也是种心理补偿。 NAS ? DAS ? 在搭建这套方案时，我尚在校园，搭 NAS 有些网络上的麻烦，加上主力设备就是这台 Mac mini，于是选择了 DAS。借着年初机械硬盘价格还不错，我择机购入了前文提到的西部数据的 4T 蓝盘，搭配国产品牌铁威马的双盘位硬盘坞 D2-310，实测的速度在 170MB/s 上下。 西部数据 蓝盘 4T WD40EZRZ 连接 铁威马 D2-310 数据是很娇贵的，选择硬盘坞和选择硬盘有时同样重要。这款国产品牌铁威马的 D2-310 我在某东以 499 元的价格购入，不算最便宜的硬盘坞产品，但相比销量更高的露天硬盘底座，它金属全包裹的设计不仅好看，也能更好地保护硬盘和内在的数据——要知道，露天硬盘底座可是有个「硬盘升天座」的诨名。还有玩家会推荐二手购入西部数据、希捷等品牌的拆机盒子，某二手市场两百来块，但需要做一些硬件上的破解，方案不是很成熟，有潜在风险，我就没有采用。 4T 的机械硬盘确实极大地缓解了我的存储焦虑。不过，如今半年多使用下来，我认为 DAS 作为古老且低速的方案，硕大的体积、使用时的噪声和入手门槛，使它或许不能算是友好的选择。况且，机械硬盘的外置存储占用的是 USB-A 接口，真正高速且昂贵的雷电 3 并没有机会发挥实力。所以，体验了半年后，我不大建议你选用这套方案。 林林总总说了许多存储界的入门知识，可能有人会问我：为什么不直接买移动硬盘？对我来说，这和我过往的体验有关。为了给老 MacBook 留下冗余备份，我也曾购置过一些五六百价位的移动硬盘，巴掌大小，使用起来谈不上便利，有些笨重，也还算能忍受。后来我又购置了一块给家里人。结果几年下来，由于携带不便，我早已忘记自己的移动硬盘塞到了哪个旮旯；而家里人也和我反应，说那块我买的硬盘坏掉了，内容不翼而飞。种种体验，让我留下了「移动硬盘确实不行」的印象。现在回头看，这也许是种错怪，当时我的收纳习惯不够好，家人使用时也多有不注意，导致我产生了些偏见。 这次，借着少数派与 aigo 的合作机会，深度体验了 aigo 送来的 S7 Pro 后，我发现时代确实变了。首先是它真的很小巧，比 AirPods 瘦长些，重量却还要轻很多。这让我不再有收纳难题，相比起过去手机大小的移动硬盘，这才是可以纳入 Every Day Carry 的尺寸和重量；磨砂的质感、顺滑的倒角，在小小的尺寸里，1 T 的容量令人惊喜。回头看 DAS 方案的大傻个子，搞得我有点尴尬。没错，DAS 能纳下更大的空间，但这也意味着失去了移动的可能性，而且硬盘转起来颇有种「炒豆子」的噪音，会让每日坐在电脑前办公娱乐的我有些小小的焦虑感。 aigo S7 Pro 而这两个已经完败 DAS 方案的优势外，aigo 的这款 S7 Pro，作为上代旗舰产品，标称速度可达到 520MB/s，在 Mac 环境、格式化为 APFS 后，实测写入可以达到 390MB/s，读取可达到 363MB/s，足足是 DAS 方案的两倍多。可谓更小巧、更快，功耗还低（DAS 需要连接专门的电源）。 aigo S7 Pro 1T APFS 格式 M1 Mac 读写速度 而在 Windows 环境下，S7 Pro 实测写入 496MB/s，读取 569MB/s，符合官方标称。 aigo S7 Pro 1T NTFS 格式 Windows 读写速度 不过当然了，再怎么说，固态硬盘还是比机械硬盘贵一些。铁威马这款硬盘坞的常态价是 499 元，4T 蓝盘的购入价是 469 元，合计 988 元。而 aigo 的 S7 Pro，1T 版本常年价在 700 块上下。这么一看，DAS 方案还是有一定合理性的。 然而，价格不像配置那样恒定，总是会被各种各样的原因影响。一场疫情已使全球供应链产能紧张，疯狂的挖矿事业又更加火上浇油。显卡价格在沉沉浮浮中比股票还动荡，真正有需求的人不得不把装机日程一拖再拖。更坏的消息是，机械硬盘也涨了。「Chia 奇亚币」的横空出世和「硬盘挖矿」的诡异技术，让攒硬盘中的我苦不堪言。过去半年内，我密切关注着硬盘的售价，时不时打开收藏夹看价格变化，一度成为我茶余饭后的习惯。 我的观察是，在当下，机械硬盘的价格虽然有一定幅度的回落，仍未到正常，更是和「性价比」相去甚远。而固态硬盘早先虽然也随着涨了一波价，年中后却因产能提升逐渐降了回来。固态硬盘在一开始就不能用来挖矿，涨价更像是矿潮引起的哄抢，如今市场发挥了功力，把价格调整回来，甚至一度到了低价。考虑到像西数蓝盘这样标志性的机械硬盘，4T 型号大部分已从四百涨至六百元价位，就算机械硬盘空间更大，但速度、便携性、噪音等多方面落后的体验下，加上自己拆装、等待好价等等的折腾，如果你对存储空间没有特殊的需求，我还是更建议你买一块成品移动硬盘。一番体验下来，我手中的一台 aigo S7 Pro，使用的舒适感已经超越 DAS 方案了。 而这并不是全部。aigo 又给我寄来一块比 S7 Pro 稍贵些的 P1，采用 NVMe 协议，标称速度可以达到 1084MB/s，APFS 格式下，除去损耗，实测速度稳定在 700MB/s 以上。 aigo P1 1T APFS 格式 M1 Mac 读写速度 这个读写速度足以满足许多工程文件，比如 Final Cut Pro 外挂硬盘下剪辑的工作状态了，素材拷贝等处理更是不在话下。 aigo P1 在 Windows 环境下，P1 实测写入 932MB/s，读取 990MB/s，如此速度的外挂硬盘已经可以跑大型游戏了。 aigo P1 1T NTFS 格式 Windows 读写速度 S7 Pro 附赠了 C2C、C2A 两根数据线，照顾到旧电脑的使用体验；P1 则附带 C2C 口数据线，和一个 C2A 的转接头；随硬盘送了一个有点商务风的收纳套，灰色小巧。随着使用体验的加深，它们已经成为我日常的 EDC 产品。 戴上收纳套 尽管外置移动硬盘已经可以满足我大部分存储需求，但硬盘之坑深似海，既然路已至此，不到尽头不尽兴啊。我又开始寻找更快的方案，以求达到接口速度的极致。而这就必须上 M.2 固态硬盘了。要如何选购呢？ 首先我们要明确一件事情，硬盘最大化价值利用的前提是减少传输时的物理浪费，也就是说直接插在主板上才是最好的。可惜 M1 Mac mini 并没有给我们这样的机会。所以，有了「外接」这么一项限制，我们需要硬盘盒的帮忙，徒增了很多物理损失，再加上 M1 现有的问题，我们也就无法使外接 M.2 硬盘达到产品标称中的速度。所以在选购了五六块不同品牌的 M.2 SSD 后，我的经验是买性价比高的即可，这样不管是用于 M1 Mac 的扩容还是日后留作其他电脑设备的升级都有保障。 关于硬盘盒，我购置了两种类型的产品：一款是国产品牌 MAIWO 麦沃的 10Gbps USB 3.2 Gen2 硬盘盒，价格不足百元，小巧精致。但这只是过渡使用，因为这离雷电 3 的 22Gbps 数据传输带宽还差很远。实际上，若你考虑使用 10Gbps 硬盘盒 + M.2 硬盘的方案， 我建议你还是直接买高速移动硬盘来得便捷。硬盘盒的方案更符合闲置 M.2 硬盘再利用的定位。 另一款是希捷的酷玩系列游戏扩展坞，拓展接口的同时，自带 4T 机械硬盘和 M.2 的固态硬盘接口。以下的读写测试就基于这台希捷拓展坞。由于其还要分配带宽给机械硬盘和其他接口，必然会再次使 M.2 硬盘速度有所损失，测速仅做参考。 希捷酷玩拓展坞 倘若你想要纯粹的雷电 3 接口硬盘盒，那么我推荐国产品牌 JEYI 佳翼的雷电 3 移动硬盘盒，常年价 600 元，是雷电 3 硬盘盒里口碑和性价比都相对优秀的产品。 在 M.2 固态硬盘中，目前市面上口碑较好的是西部数据的 SN550，标称速度可达 2400MB/s。如果遇到好价，是值得购买的。我恰好就有一块 500G 的版本，618 期间三百出头的价格购入。1T 的好价则普遍在七百前后。 使用希捷拓展坞，APFS 格式，实测速度为写入 1338MB/s，读取 2157MB/s。与标称有一定距离，但很可能是拓展坞占用带宽的问题。 西部数据 SN550 500G 连接希捷拓展坞 APFS 格式 读写速度 这个读写速度基本支持我所有工作流的大文件读写了，几无超出范围的使用场景，虽说和 Mac 自带硬盘虽然还有距离，但我还是很满意的。 巧的是，同样的价位段，aigo 也有一款 M.2 接口的高速固态硬盘，镁光 TLC，三年质保，中控型号为 Innogrit IG5216，3D TLC NAND 颗粒，支持 PCIe 3×4 通道闪存。从参数上看对于 Mac mini 拓展绰绰有余。我要（嫖）来了一块 1T 版本，售价和 SN550 1T 好价时相差无几。 开箱发现包装内附赠了螺丝，好评 将其抹为 APFS 格式后，同样的环境下，测试速度为写入 1347MB/s，读取 2424MB/s。表现和 SN550 差不大多。 P3000 1T 连接希捷拓展坞 APFS 格式 读写速度 但这不该是这款硬盘极限，在 Windows 环境下，实测可以达到符合标称的 2800MB/s 写入，3400MB/s 读取。 P3000 1T NTFS 格式 Windows 读写速度 可见 M1 芯片对外置 M.2 硬盘的支持确实不到位，以稳定著称的西部数据的 SN550 和 aigo 新品 P3000 均撞上了速度瓶颈。 aigo P3000 而作为对外置硬盘速度的对比，我也用 Blackmagic Disk Speed Test 测了测 Mac mini 这内置的 256G 固态硬盘的读写速度。由于没有物理损失，也不用分配带宽，写入速度达到了 2202MB/s，读取速度达到了 2978MB/s。 内置固态硬盘读写速度 总体来看 P3000 给我的印象还是很不错的，虽说因 M1 的困境导致无法发挥优势，但身处同价位的产品中优势更大，作为硬盘储备以后用在其他电脑上潜能也更多。截止发稿前 SN550 出现了降速门；另一款性价比产品铠侠 RC10 则存在 1T 版本性能弱于 500G 版本、且发热量较大的问题。考虑到雷电硬盘盒的昂贵，买 500 G 硬盘显然也不划算，1 T 仍然是当下市场里容量/价格比最合适的选项，而 aigo 的这款 P3000 1T 版，无疑是很值得考虑的选择。 回看我们在开头列出的需求坐标轴，小容量低读写的碎片文件由 U 盘解决；小容量高读写的工程文件由移动硬盘、Gen2 硬盘盒解决；大容量高读写的大型工程文件由雷电硬盘盒解决；大容量低读写的备份文件则由 DAS 方案解决。不过，对于读写速度要求不是那么高的文件，NAS 总归是比 DAS 先进了很多的方案，那些折腾存储的人最后也十有八九落入 NAS 的深坑。我也不例外，趁着 6·18 买了人生第一台 NAS 主机，加上硬盘又花掉大半个 Mac mini 的钱。但这就是另一个故事了，在此不表。 坦白说，购入 M1 Mac mini 并开始研究存储设备以前，我从没想到过国产品牌可以在这个领域杀出一片耀眼的战场。实际上，有很多产品，我在购买时甚至完全没有注意到其是不是国货。本文所列出的，以及许多篇幅受限没有列入的品牌和产品，有许多都是我在使用并折服于优秀体验后才发觉它们的国产基因的。它们真的是很好的产品。即便位列在希捷、西部数据、东芝、三星这些传统国际大厂里，你也完全不需要因为「国货」属性特别加分再去支持国产，仅仅凭借品质和需求去挑选出来，使用体验也令人足够满足。 aigo 在存储产业已经深耕了 21 年 这就是我的 M1 Mac mini 存储拓展之旅的收获，藉由苹果封闭的痛苦，却高兴地看到了另一个开放的世界。在这个世界里，国产品牌用自己的努力，切切实实地追逐着生产「国民好物」的目标。研究拓展存储时，我试了多种方案，走了不少弯路，不过，从一个「小白」成长到近似「发烧」的「感冒友」，虽然折腾，更多感受到的还是乐趣。看着那么多人类顶尖的技术，凝聚成眼前的一个个小盒子，冰冷的质感下也氤氲一丝温情。 它们让我想起了《2001 太空漫游》里那枚启发人类智慧的黑色方碑，不同之处在于，方碑是不能解读的「神」，而我们身边的电子产品虽然在过去的人看来有如神迹，却是可以拆解、可以认识其技术基础的人造之物。 2001 太空漫游 当一个物体不可被解释的时候，你的命运也会任其摆布；但如果你解构了它，甚至有能力亲手去创造一个它，命运才终于回到了自己手里。大到工业化现代化后的国产品牌，小到通过研究认知存储技术的我，其实都是从不知到有知，从被迫接受到有意愿地选择的过程。当然，这个过程很折腾，需要不断地试错；但从不了解到了解，逐渐参与世界的建设，这个过程同样意义非凡。

用户评论

眉黛如画

我一直很想要一台轻便的笔记本电脑，这篇文章介绍了东芝M363和M361的参数还挺详细，让我对这两款电脑了解得更深。现在还在比较，看看哪一个更适合我办公需求。

    有6位网友表示赞同！

蹂躏少女

我之前用的也确实是东芝，真的不错！尤其是屏幕显示清脆，续航也很稳定，这次新款的性能提升很大，非常期待！

    有7位网友表示赞同！

旧爱剩女

这款东芝M361的处理器看起来确实很强劲，而且价格还比较合理，很有购买欲望的节奏啊。希望能趁着双十一抢购便宜点。

    有19位网友表示赞同！

自繩自縛

这个参数表对我来说太复杂了，看不明白！能不能简单来说一下哪些参数对普通用户来说重要呢？

    有7位网友表示赞同！

龙吟凤

东芝M363真的好看！屏幕大小和配置都非常适合我办公使用。现在就等打折的时刻下单啦！

    有6位网友表示赞同！

妄灸

这篇文章没有详细对比这两款的优缺点，我很想了解一下区别在哪儿？哪个更加适合学习设计软件呢?

    有15位网友表示赞同！

?亡梦爱人

我感觉东芝M361这个CPU性能还不如我的老电脑啊，而且屏幕分辨率略低了一点，有点失望

    有9位网友表示赞同！

淡抹丶悲伤

这两款电脑都能处理日常办公软件是没错的，但是做一些视频剪辑还是比较占资源吧？需要考虑配置更强大的版本吗?

    有11位网友表示赞同！

鹿先森，教魔方

东芝质量我还是信得过的，不过这款M363的重量看着有些重啊，是不是不太方便携带外出使用?

    有12位网友表示赞同！

軨倾词

看到这款M361的外观设计还挺别致的！我觉得年轻人可能会比较喜欢这种风格。

    有8位网友表示赞同！

抓不住i

我平时主要是上网冲浪和追剧，这两种任务这两款电脑应该都能胜任吧？太纠结了哪款更适合我的需求。

    有9位网友表示赞同！

你身上有刺，别扎我

东芝笔记本一直都是性价比很高啊，新款的参数都挺不错，看来我是要考虑买一台了！

    有14位网友表示赞同！

酒笙倾凉

文章分析的比较到位，详细列出来了很多参数的具体数值，现在看得我都更加明白了这两台电脑的差距在哪里。

    有15位网友表示赞同！

蝶恋花╮

这款东芝M363的价格确实蛮贵的啊，可能还是得先观望一下，看看有没有更划算的选择。

    有20位网友表示赞同！

醉婉笙歌

这两款笔记本的价格差异很大啊，希望可以提供一些使用场景的建议，帮助我选择更适合的版本！

    有10位网友表示赞同！

满心狼藉

东芝的技术越来越进步了，这款M361 的续航时间看着很不错，比原来的版本提升了很多!

    有19位网友表示赞同！

权诈

感觉这两款电脑都不太适合做游戏玩家用吧？配置不够高呀。

    有7位网友表示赞同！